Транзисторы mje13001(13001)и mje13003(13003)- маркировка, цоколевка, основные параметры

Содержание

1 13003C Datasheet (PDF)
2 Распиновка
3 13003F Datasheet (PDF)
4 Биполярный транзистор 13003E — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
5 13003E Datasheet (PDF)
6 TD13003 Datasheet (PDF)
7 BD13003B Datasheet (PDF)
8 STD13003L Datasheet (PDF)
9 Технические характеристики транзистора MJE13009
10 H13003AD Datasheet (PDF)
11 Маркировка
12 KSE13003T Datasheet (PDF)
13 Маркировка
14 WBR13003X Datasheet (PDF)
15 TS13003CT Datasheet (PDF)
16 Транзисторы 13001 13003 13005 13007 13009
17 13003E Datasheet (PDF)
18 J13003 Datasheet (PDF)

13003C Datasheet (PDF)

1.1. phd13003c.pdf Size:136K _philips

PHD13003CNPN power transistor with integrated diodeRev. 01 29 July 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionHigh voltage, high speed, planar passivated NPN power switching transistor with integrated anti-parallel emitter-collector diode in a SOT54 plastic package1.2 Features and benefits Fast switching High voltage capability High typical DC current

1.2. phe13003c.pdf Size:254K _philips

PHE13003CNPN power transistorRev. 1 29 July 2010 Preliminary data sheet1. Product profile1.1 General descriptionHigh voltage, high speed, planar passivated NPN power switching transistor in a SOT54 (TO-92) 3 leads plastic package.1.2 Features and benefits Fast switching High voltage capability of 700 V High typical DC current gain1.3 Applications Compact fluorescent l

1.3. ts13003ck-ct.pdf Size:164K _taiwansemi

TS13003 High Voltage NPN Transistor TO-92 TO-126 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Emitter BVCEO 400V 2. Collector 3. Base BVCBO 700V IC 1.5A VCE(SAT) 1V @ IC =0.5A, IB =0.1A Features Block Diagram High Voltage High Speed Switching Structure Silicon Triple Diffused Type NPN Silicon Transistor Ordering Information Part No. Package Packing T

1.4. ksb13003c.pdf Size:986K _semihow

Транзистор irf3205

KSB13003C SEMIHOW REV.A0, January 2012 KSB13003CKSB13003C High Voltage Switch Mode Application High voltage, High speed power switching Suitable for Electronic Ballast up to 21W 1.5 Amperes NPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted 1.1 Watts TO-92 CHARACTERISTICS SYMBOL RATING UNIT 1. Base 2. Collector 3. E

1.5. ksb13003cr.pdf Size:985K _semihow

KSB13003CR SEMIHOW REV.A0, January 2012 KSB13003CRKSB13003CR High Voltage Switch Mode Application High voltage, High speed power switching Suitable for Electronic Ballast up to 21W 1.5 Amperes NPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted 1.1 Watts TO-92 CHARACTERISTICS SYMBOL RATING UNIT 1. Emitter 2. Collector

Распиновка

Цоколевка 13003 у большинства производителей выполняется в пластиковым корпусом ТО-126. У компании STMicroelectronics (STM) этот корпус называется SOT-32. Фирменный MJE13003 у компании Motorola имел пластиковый корпус — ТО-225A. Это тот же, немного улучшенный ТО-126, согласно системы стандартизации полупроводниковых приборов Jedec. Три гибких вывода из корпуса ТО-126, если смотреть на маркировку, имеют следующее назначение: самый левый контакт – база; посередине – коллектор; крайний справа – эмиттер.

В статье рассмотрено назначение выводов, встречающееся у большинства производителей, однако бывает и другая – нетипичная распиновка 13003 в ТО-126. У той же STM, если смотреть на прибор как описано выше, эмиттер будет слева, база справа, а коллектор посередине. Аналогичная цоколевка у KSE13003 (Fairchild Semiconductor). Очень редко, но встречаются приборы в корпусе ТО-220. Для наглядности просмотрите рисунок с цоколевкой от разных компаний.

Моп-транзистор irfz44n

13003F Datasheet (PDF)

1.1. r13003f1.pdf Size:407K _blue-rocket-elect

R13003F1(BR3DA13003F1K) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-92 NPN Silicon NPN transistor in a TO-92 Plastic Package. / Features High Voltage Capability High Speed Switching. / Applications High frequency

1.2. 3dd13003f6d.pdf Size:151K _crhj

NPN R 3DD13003 F6D 3DD13003 F6D VCEO 400 V NPN IC 1.5 A Ptot Tc=25 50 W

1.3. 3dd13003f3d.pdf Size:149K _crhj

NPN R 3DD13003 F3D 3DD13003 F3D VCEO 400 V NPN IC 1.5 A Ptot Tc=25 30 W

Datasheet texas instruments lm2576t-adj/nopb

1.4. 3dd13003f1d.pdf Size:182K _crhj

NPN R 3DD13003 F1D 3DD13003 F1D VCEO 400 V NPN IC 1.5 A Ptot Ta=25 0.8 W

1.5. bu13003f.pdf Size:120K _jdsemi

RBU13003F www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast and Switch-mode power supplies 222

1.6. mje13003f2.pdf Size:193K _foshan

MJE13003F2(3DD13003F2) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: High frequency electronic lighting ballast applicationsconverters, inverters, switching regulators, etc. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 600 V

1.7. mje13003f5.pdf Size:250K _foshan

MJE13003F5(3DD13003F5) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: High frequency electronic lighting ballast applicationsconverters, inverters, switching regulators, etc. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 600 V

1.8. mje13003ft.pdf Size:216K _foshan

MJE13003FT(3DD13003FT) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: High frequency electronic lighting ballast applicationsconverters, inverters, switching regulators, etc. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 600 V

1.9. mje13003f6.pdf Size:200K _foshan

MJE13003F6(3DD13003F6) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: High frequency electronic lighting ballast applicationsconverters, inverters, switching regulators, etc. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 600 V

1.10. mje13003f1.pdf Size:192K _foshan

MJE13003F1(3DD13003F1) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: High frequency electronic lighting ballast applicationsconverters, inverters, switching regulators, etc. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 600 V

Биполярный транзистор 13003E — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 13003E

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2.5
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10

Корпус транзистора: TO126

13003E
Datasheet (PDF)

1.1. dxt13003ek.pdf Size:312K _diodes

DXT13003EK460V NPN HIGH VOLTAGE POWER TRANSISTOR IN TO252 Features Mechanical Data BVCEO > 460V Case: TO252 (DPAK) BVCES > 700V Case Material: Molded Plastic, «Green» Molding Compound BVEBO > 9V UL Flammability Classification Rating 94V-0 Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 IC = 1.5A high Continuous Collector Current Terminals: Finish — Ma

1.2. 13003eda.pdf Size:140K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 13003EDA Preliminary NPN SILICON TRANSISTOR NPN SILICON BIPOLAR TRANSISTORS FOR LOW FREQUENCY AMPLIFICATION DESCRIPTION The UTC 13003EDA is a silicon NPN power switching transistor; it uses UTCs advanced technology to provide customers high collector-base breakdown voltage, low reverse leakage current and high reliability, etc. The UTC 1

1.3. hmje13003e.pdf Size:83K _hsmc

Spec. No. : HE200502 HI-SINCERITY Issued Date : 2005.10.01 Revised Date : 2009.10.14 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/4 HMJE13003E NPN Epitaxial Planar Transistor Description High Voltage, High Speed Power Switch Switch Regulators PWM Inverters and Motor Controls TO-220 Solenoid and Relay Drivers Deflection Circuits Absolute Maximum Ratings (

1.4. 3dd13003e6d.pdf Size:150K _crhj

NPN R 3DD13003 E6D 3DD13003 E6D VCEO 400 V NPN IC 1.3 A Ptot Tc=25 40 W

1.5. apt13003eu-ez.pdf Size:427K _bcdsemi

Data SheetHIGH VOLTAGE FAST SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR APT13003EGeneral Description FeaturesThe APT13003E series are high voltage, high speed High Switching Speed switching NPN Power transistors specially designed High Collector-Emitter Voltagefor off-line switch mode power supplies with low out- Low Costput power. Bulk and Ammo Packing TO-92 Package andTO-12

1.6. mje13003e1.pdf Size:290K _foshan

MJE13003E1(3DD13003E1) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: High frequency electronic lighting ballast applicationsconverters, inverters, switching regulators, etc. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 700 V

1.7. ksd13003e.pdf Size:611K _semihow

KSD13003E KSU13003E SEMIHOW REV.A0,July 2011 KSD13003E/KSU13003EKSD13003E/KSU13003E High Voltage Switch Mode Application High Voltage, High Speed Switching Suitable for Switching regulator, Inverters motor controls 150 Max. Operating temperature 8KV ESD proof at HBM (C=100, R=1.5) 1.5 Amperes NPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum

1.8. ksu13003er.pdf Size:611K _semihow

KSD13003ER KSU13003ER SEMIHOW REV.A0,July 2011 KSD13003ER/KSU13003ERKSD13003ER/KSU13003ER High Voltage Switch Mode Application High Voltage, High Speed Switching Suitable for Switching regulator, Inverters motor controls 150 Max. Operating temperature 8KV ESD proof at HBM (C=100, R=1.5) 1.5 Amperes NPN Silicon Power Transistor Absolute M

1.9. ksu13003e.pdf Size:611K _semihow

1.10. ksd13003er.pdf Size:611K _semihow

1.11. ksb13003er.pdf Size:323K _semihow

KSB13003ERKSB13003ER SEMIHOW REV.A0,Apr 2008KSB130003ERKSB13003ERHigh Voltage Switch Mode Application High Voltage, High Speed Switching Suitable for Switching regulator, Inverters motor controls150 Max Operating temperature 150 Max. Operating temperature 8KV ESD proof at HBM (C=100, R=1.5)1.5 AmperesNPN Silicon Power Transistor Absolute M

Другие транзисторы… WT5611
, WT5650
, WT5651
, WT5652
, , 13003A
, 13003C
, 13003D
, C1815
, 13003F
, , 3CA3505
, 3CA2505
, 3CA4505
, 3CA5322
, 3CA5323
, 3CA5679
.

TD13003 Datasheet (PDF)

1.1. std13003.pdf Size:266K _st

STD13003HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHINGNPN POWER TRANSISTOR REVERSE PINS OUT Vs STANDARD IPAK(TO-251) / DPAK (TO-252) PACKAGES MEDIUM VOLTAGE CAPABILITY LOW SPREAD OF DYNAMIC PARAMETERS MINIMUM LOT-TO-LOT SPREAD FORRELIABLE OPERATION VERY HIGH SWITCHING SPEED11 SURFACE-MOUNTING DPAK (TO-252)233POWER PACKAGE IN TAPE & REEL (Suffix»T4″) THROUGH-HOLE IPAK (TO-2

1.2. std13003d.pdf Size:317K _auk

STD13003DNPN Silicon Power TransistorApplications PIN Connection Power amplifier application High current switching application Features High speed switching VCEO(sus)=400V Suitable for Switching Regulator and Motor Control TO-252 Ordering Information Type NO. Marking Package Code STD13003D STD13003 TO-252Absolute Maximum Ratings (Ta=25)

1.3. std13003q.pdf Size:288K _auk

STD13003QNPN Silicon Power TransistorSWITCHING REGULATOR APPLICATIONS Features PIN Connection High speed switching C VCEO(sus)=400V Suitable for Switching Regulator and Motor Control BOrdering Information Type NO. Marking Package Code E C B ESTD13003Q STD13003 TO-92Absolute Maximum Ratings (Ta=25) Characteristic Symbol Ratings UnitCollector-base

1.4. std13003l.pdf Size:278K _auk

STD13003LNPN Silicon Power TransistorSWITCHING REGULATOR APPLICATIONS Features PIN Connection High speed switching C VCEO(sus)=400V Suitable for Switching Regulator and Motor Control BOrdering Information Type NO. Marking Package Code E C B ESTD13003L STD13003 TO-92LAbsolute Maximum Ratings (Ta=25C) Characteristic Symbol Rating UnitCollector-base

BD13003B Datasheet (PDF)

1.1. bd13003b.pdf Size:765K _secos

BD13003B 1.5A , 700V NPN Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free FEATURES TO-126 Power Switching Applications CLASSIFICATION OF ts Product-Rank BD13003B-A1 BD13003B-A2 ABRange 2-2.5 (s) 2.5-3 (s) EFProduct-Rank BD13003B-B1 BD13003B-B2 CNHRange 3-3.5 (s) 3.5

3.1. wbd13003d.pdf Size:256K _winsemi

WBD13003DWBD13003DWBD13003DWBD13003DHighVoltageFast-SwitchingNPNPowerTransistorFeaturessymbolsymbolsymbolsymbol Very High Switching Speed2.Collector High Voltage Capability Wide Reverse Bias SOA 1.Base Built-in free wheeling diode3.EmitterGeneral DescriptionThis Device is designed for high Voltage ,High speedswitching Characteristics required such

5.1. bd130.pdf Size:150K _comset

BD130NPN SILICON TRANSISTORPOWER LINERAR AND SWITCHING APPLICATIONSThe BD130 is a silicon epitaxial-base NPN transistor in JEDEC TO-3 metal case. It is intended for power switching circuits, series andshunt regulators, output stages and high fidelity amplifiers.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol Ratings Value UnitVCEO Collector-Emitter Voltage 60 VCollector-Base VoltageVCBO 100

STD13003L Datasheet (PDF)

1.1. std13003l.pdf Size:278K _auk

2.1. std13003.pdf Size:266K _st

2.2. std13003d.pdf Size:317K _auk

2.3. std13003q.pdf Size:288K _auk

Технические характеристики транзистора MJE13009

При температуре окружающей среды +25 °C, если не указано иного, имеет такие параметры:

физические:

биполярный транзистор;
корпус ТО-220, ТО-3PN;
материал корпуса – пластик;
кристалл — кремний (Si);

электрические (допустимые):

проводимость – NPN;
U_{КЭ макс} (V_CE_max) до 400 В (V);
U_КЭВ(V_CEV) 700 В (V), при U_БЭ(V_BE) = -1.5 В (V);
U_{ЭБ макс}(V_ЕВ_max) до 9 В (V);
I_K(I_C) 12 А, I_K_макс (I_C_max) до 24 А;
I_Б. (I_B) 6А, импульсный пиковый I_Б_пик_. (I_B_max) до 12 А, при t_p≤10 мc (ms);
I_Э (I_E) 18А, импульсный пиковый I_Э_пик_. (I_E_max) до 36 А, при t_p≤10 мc (ms);
P (P_tod)= 100 Вт (W), при Tc ≤ 25°C и использовании радиатора;
F_{Гр мин.}(f_t_MIN) 4 МГц (MHz), при U _КЭ(V_CE ) =10 В (V), I_K (I_c₎= 0,5 А;
U_КЭ.раб.(V_CEO_sus) 400 В (V), при I_C (I_К) = 10 мA(mA), I_Б(I_B)= 0;
I_КЭВ(I_CEV) 1 мА (mA) при U_КЭВ(V_CEV) = 700 В (V), до 5 мА (mA) при повышении T_раб(T_amb) до 150 °C;
I_ЭБО(I _E_BO) ≤1 мА (mA), при U _E_Б(V_EB ) = 9 В (V) и I_К (I_С)=0);
выходная емкость C_22б (C_ob) = 180 пФ (pF);

напряжение насыщения между коллектором и эмиттером U_{КЭ нас.}(V_BE_sat):

напряжение насыщения между базой и эммитером U_{БЭ нас.}(V_BE_sat):

коммутационные характеристики (при U_КЭ=120 В, I_K =8 A, I_{Б вкл}=1.6А, I_{Б выкл.}= -1.6А):

время задержки t_зад (t_d) = 0.1 мкс (µs);
время включения t_вкл (t_on) = 1.1 мкс (µs);
время спада t_сп(t_f) = 0.7 мкс (µs);
время рассасывания t_РАС(t_s) = 3 мкс (µs);

тепловые:

Тепловое сопротивление перехода кристалла к корпусу R_θJC= 1.26 °C/W (°C/Вт);
Тепловое сопротивление корпуса к окружающей среде R_θ_C_A= 62.5 °C/W (°C/Вт);
Общее тепловое сопротивление R_θ_J_A= 100 °C/W (°C/Вт);
T_{перехода}(T_j) ≤ + 150 °C;
T_хран.(T_str) от — 65 до + 150 °C;
T_раб.(T_amb) от — 65 до + 150 °C;
T_пайки(T_L) до 275 °C.

коэффициент усиления по току у транзистора 13009 находится в пределах от 8 до 40 Hfe.

Параметры 13009 у различных производителей незначительно отличаются.

H13003AD Datasheet (PDF)

1.1. h13003ad 2.pdf Size:116K _jdsemi

RH13003AD www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast and Switch-mode power supplies 222

1.2. h13003adl.pdf Size:117K _jdsemi

RH13003ADL www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Mainly used for 110V power Fluorescent Lamp Electronic Ballastetc 222

1.3. h13003adl 2.pdf Size:117K _jdsemi

RH13003ADL www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Mainly used for 110V power Fluorescent Lamp Electronic Ballastetc 222

1.4. h13003ad.pdf Size:117K _jdsemi

RH13003AD www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast and Switch-mode power supplies 222

Маркировка

Цифры “13001” на корпусе дают общее представление об этом полупроводниковом устройстве. Многие производители маркируют так свои изделия из-за отсутствия места на корпусе ТО-92, не указывая при этом префикс в начале. В статье приведены технические характеристики устройств малоизвестных в России производителей DGNJDZ, Semtech Electronics, YFWDIODE. Указанные производители в своих даташитах не указывают дополнительных символов маркировки. Без дополнительных обозначений маркирует свой транзистор TS13001 тайваньская компания TSMC. Первые две литеры “TS” являются аббревиатурой первых двух слов в полном названии компании Taiwan Semiconductor Manufacturing Company. В тоже время, на рыке достаточно широко представлены транзисторы mje13001, которые тоже промаркированы цифрами 13001. SHENZHEN JTD ELECTRONICS и многие другие производители применяют s13001 s8d при маркировке своих девайсов. Встречаются и другие префиксы, не рассмотренные в статье. Многие продавцы не заморачиваясь с маркировкой в наименовании товара, указывают все возможные его типы вместе с датой производства.

KSE13003T Datasheet (PDF)

1.1. kse13003t.pdf Size:47K _fairchild_semi

KSE13003THigh Voltage Switch Mode Applications High Speed Switching Suitable for Switching Regulator and Motor ControlTO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 700 V VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V VEBO Emitter-Base Voltage 9 V IC C

1.2. kse13003t.pdf Size:21K _samsung

KSE13003 NPN SILICON TRANSISTORHIGH VOLTAGE SWITCH MODE APPLICATIONSTO-126 High Speed Switching Suitable for Switching Regulator and Motor ControlABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCharacteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 700 V Collector-Emitter Voltage V CEO 400 V Emitter-Base Voltage VEBO 9 V Collector Current (DC) IC 1.5 A Collector Current (Pulse) IC 3

2.1. kse13003.pdf Size:465K _fairchild_semi

March 2008KSE13003NPN Silicon TransistorHigh Voltage Switch Mode Applications High Voltage Capability High Speed Switching Suitable for Switching Regulator and Motor ControlTO-12611. Emitter 2.Collector 3.BaseAbsolute Maximum Ratings* TC = 25C unless otherwise noted (notes_1)Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 700 VVCEO Collector-Emitter

Маркировка

Маркируется на корпусе цифрами “13003”, указывающими на серийный номер устройства по системе JEDEC. Префикс MJE, в начале указывает на происхождение устройства у именитого брэнда — компании Motorola. В настоящее время префикс mje в обозначении своей продукции добавляют и другие производители радиоэлектронного оборудования. Так что, не удивительно встретить транзистор с таким префиксом от другого компании.

Также, вместо MJE, но с другими буквами в названиях, могут встречается похожие устройства: ST13003 SOT-32 (ST Microelectronics), FJP13003, KSE 13003 (Fairchild). В последнее время стали встречается копии устройств от китайских компаний с такой маркировкой на корпусе: 13003d, 13003br, j13003, e13003. В большинстве случаев у приборов с буквой “d” в конце есть встроенный защитный диод, а у остальных меньшая мощность до 25 Вт.

WBR13003X Datasheet (PDF)

1.1. wbr13003x.pdf Size:350K _winsemi

WBR13003XWBR13003XWBR13003XWBR13003XHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorFeaturesFeaturesFeaturesFeatures Very High Switching Speed High Voltage Capability Wide Reverse Bias SOAGeneral DescriptionGener

2.1. wbr13003.pdf Size:329K _winsemi

WBR13003WBR13003WBR13003WBR13003High Voltage Fast -Switching NPN Power TransistorFeatures Very High Switching Speed High Voltage Capability Wide Reverse Bias SOAGeneral DescriptionThis Device is designed for high voltage, High speed switchingcharacteristics required such as lighting system,switching modepower supply.Absolute Maximum RatingsSymbol Parameter T

2.2. wbr13003b3.pdf Size:313K _winsemi

WBR13003B3WBR13003B3WBR13003B3WBR13003B3High Voltage Fast -Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast -Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast -Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast -Switching NPN Power TransistorFeatures Very High Switching Speed High Voltage Capability Wide Reverse Bias SOAGeneral DescriptionThis Device is designed for

2.3. wbr13003b2d.pdf Size:317K _winsemi

WBR13003B2DWBR13003B2DWBR13003B2DWBR13003B2DHigh Voltage Fast -Switching NPN Power TransistorFeatures Very High Switching Speed High Voltage Capability Wide Reverse Bias SOA Built-in freewheeling diodeGeneral DescriptionThis Device is designed for high voltage, High speed switchingcharacteristics required such as lighting system,switching modepower supply.

2.4. wbr13003l2.pdf Size:344K _winsemi

WBR13003L2WBR13003L2WBR13003L2WBR13003L2High Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorFeaturesFeaturesFeaturesFeatures Very High Switching Speed High Voltage Capability Wide Reverse Bias SOA Built-in freewheel

2.5. wbr13003b2.pdf Size:336K _winsemi

WBR13003B2WBR13003B2WBR13003B2WBR13003B2High Voltage Fast -Switching NPN Power TransistorFeatures Very High Switching Speed High Voltage Capability Wide Reverse Bias SOAGeneral DescriptionThis Device is designed for high voltage, High speed switchingcharacteristics required such as lighting system,switching modepower supply.Absolute Maximum RatingsSymbol Par

2.6. wbr13003ld.pdf Size:355K _winsemi

WBR13003LDWBR13003LDWBR13003LDWBR13003LDHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorFeaturesFeaturesFeaturesFeatures Very High Switching Speed High Voltage Capability High Voltage Capability Wide Soa Bu

2.7. wbr13003d1.pdf Size:269K _winsemi

WBR13003D1WBR13003D1WBR13003D1WBR13003D1High Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorFeaturesFeaturesFeaturesFeatures Very High Switching Speed High Voltage Capability Wide Reverse Bias SOA Built-in freewheeling diodeGeneral DescriptionGeneral DescriptionGeneral DescriptionGeneral DescriptionThis Device is designed for high voltage, High speeds

2.8. wbr13003d.pdf Size:344K _winsemi

WBR13003DWBR13003DWBR13003DWBR13003DHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorFeaturesFeaturesFeaturesFeatures Very High Switching Speed High Voltage Capability Wide Reverse Bias SOA Built-in freewheeling diodeGeneral DescriptionGeneral DescriptionGeneral DescriptionGeneral DescriptionThis Device is designed for high voltage, High speedswitc

2.9. wbr13003b.pdf Size:316K _winsemi

WBR13003BWBR13003BWBR13003BWBR13003BHighVoltageFast-SwitchingNPNPowerTransistorFeatures Very High Switching Speed High Voltage Capability Wide Reverse Bias SOAGeneral DescriptionThis Device is designed for high voltage, High speed switchingcharacteristics required such as lighting system,switchingmode power supply.Absolute Maximum RatingsSymbol Parameter Tes

TS13003CT Datasheet (PDF)

2.1. ts13003ck-ct.pdf Size:164K _taiwansemi

3.1. ts13003hv a07.pdf Size:276K _taiwansemi

TS13003HV High Voltage NPN Transistor TO-92 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Emitter 2. Collector BVCEO 530V 3. Base BVCBO 900V IC 1.5A VCE(SAT) 0.5V @ IC / IB = 0.5A / 0.1A Features Block Diagram High Voltage High Speed Switching Structure Silicon Triple Diffused Type NPN Silicon Transistor Ordering Information Part No. Package Packing

3.2. ts13003 d07.pdf Size:333K _taiwansemi

TS13003 High Voltage NPN Transistor TO-92 TO-126 Pin Definition: Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Emitter 1. Emitter 2. Collector 2. Collector BVCEO 400V 3. Base 3. Base BVCBO 700V IC 1.5A VCE(SAT) 0.8V @ IC / IB = 0.5A / 0.1A Features Block Diagram High Voltage High Speed Switching Structure Silicon Triple Diffused Type NPN Silicon Transisto

3.3. ts13003mv.pdf Size:441K _taiwansemi

TS13003MV High Voltage NPN Transistor TO-92 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Emitter 2. Collector BVCEO 400V 3. Base BVCBO 800V IC 1.5A VCE(SAT) 0.8V @ IC / IB = 1A / 0.25A Features Block Diagram High Voltage High Speed Switching Structure Silicon Triple Diffused Type NPN Silicon Transistor Ordering Information Part No. Package Packing T

3.4. ts13003hv.pdf Size:192K _taiwansemi

3.5. ts13003bct.pdf Size:399K _taiwansemi

TS13003B High Voltage NPN Transistor TO-92 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Emitter 2. Collector BVCEO 400V 3. Base BVCBO 700V IC 1.5A VCE(SAT) 0.8V @ IC / IB = 0.5A / 0.1A Features Block Diagram High Voltage High Speed Switching Structure Silicon Triple Diffused Type NPN Silicon Transistor Ordering Information Part No. Package Packing T

3.6. ts13003b c07.pdf Size:399K _taiwansemi

Транзисторы 13001 13003 13005 13007 13009

Транзисторы 13001 13003 13005 13007 13009 — это биполярные n-p-n транзисторы широко распространенные в импортных бытовых приборах (люмининсцентные энергосберегающие лампы, зарядные устройства и блоки питания от мощных компьютерных до маломощных бытовых).

Серия транзисторов MJE13001 — MJE13009 биполярные высоковольтные с N-P-N проводимостью специально разработана для использования в импульсной технике. Они характеризуются высоким напряжением и повышенным быстродействием.

Транзистор 13003 — аналог, datasheet, цоколевка, параметры, замена

Транзистор 13003 имеет множество имён, которые зависят от фирмы производителя. Под транзистором 13003 скрываются имена wg2gf 13003, wg 2 gf 13003, wg2 13003, alj 13003 и оригинальное название mje 13003 или MJE13003

Транзистор 13001 Цоколевка

В зависимости от фирмы-производителя цоколевка транзистора может отличаться от приведенной. Указанная распиновка соответствует транзисторам «Motorola Inc»

параметры биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13001

Absolute Maximum Ratings TC=25°C TO-92

Collector-Base Voltage V CBO 500 V

Collector-Emitter Voltage V CEO 400 V

Emitter- Base Voltage V EBO 9 V

Collector Current I C 0.3 A

Total Power Dissipation P C 7 W

Junction Temperature Tj 150 °C

Storage Temperature Tstg -65-150 °C

параметры биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13009

Pc max	Ucb max	Uce max	Ueb max	Ic max	Tj max, °C	Ft max	Cc tip	Hfe
100W	700V	400V	9V	12A	150°C	—	160	8/40

Транзистор 13005 Цоколевка

Аналоги импортных транзисторов серии 13001, 13003, 13005, 13007, 13009

13003E Datasheet (PDF)

1.1. dxt13003ek.pdf Size:312K _diodes

1.2. 13003eda.pdf Size:140K _utc

1.3. hmje13003e.pdf Size:83K _hsmc

1.4. 3dd13003e6d.pdf Size:150K _crhj

NPN R 3DD13003 E6D 3DD13003 E6D VCEO 400 V NPN IC 1.3 A Ptot Tc=25 40 W

1.5. apt13003eu-ez.pdf Size:427K _bcdsemi

1.6. mje13003e1.pdf Size:290K _foshan

1.7. ksd13003e.pdf Size:611K _semihow

1.8. ksu13003er.pdf Size:611K _semihow

1.9. ksu13003e.pdf Size:611K _semihow

1.10. ksd13003er.pdf Size:611K _semihow

1.11. ksb13003er.pdf Size:323K _semihow

J13003 Datasheet (PDF)

1.1. j13003.pdf Size:113K _jdsemi

RJ13003 www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast Charger and Switch-mode power supplies 22

1.2. alj13003.pdf Size:104K _sunroc

SUNROCALJ13003 TRANSISTOR(NPN)FEATURESpower switching applicationsMAXIMUM RATINGS(Ta=25 unless otherwise noted)Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 600 VVCEO Collector-Emitter Voltage 400 VVEBO Emitter-Base Voltage 9 VIC Collector Current-Continuous 1.2 APC Collector Power Dissipation 25 WTJ Junction Temperature 150 Tstg Storage Temperature -55

5.1. mj13009.pdf Size:82K _njs

5.2. mj13001a.pdf Size:33K _no

5.3. alj13005.pdf Size:150K _sunroc

SUNROCALJ13005 TRANSISTOR(NPN) MAXIMUM RATINGS(Ta=25 unless otherwise noted) MAXI Parameter Value UnitsCollector-Base Voltage VCBO 700 VCollector-Emitter Voltage VCEO 400 VEmitter-Base Voltage VEBO 9 VCollector Current IC 2.0 ACollector Power Dissipation PC 50 WJunction Temperature Tj 150 Storag Temperature -55150 Tstg ELECTRICAL CHARACTERISTICS

5.4. alj13002.pdf Size:103K _sunroc

SUNROCALJ13002 TRANSISTOR(NPN) FEATURES 1. EMITTER Power dissipation 2.COLLECTOR PCM:0.8W(Tamb=25) Collector current 3.BASE ICM:0.6A Collector-base voltage V(BR)CBO: 600V 1 2 3 Opcrating and storage junction temperature range TJ,Tstg:-65 to -150 ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Tamb=25 unless otherwise specjfied): MIN TYP MAX UNITParameter Symbol Tes

5.5. alj13001.pdf Size:195K _sunroc

SUNROC ALJ13001 TRANSISTOR (NPN) TO-92 FEATURES 1. BASE power switching applications 2. COLLECTOR 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units 1 2 3 VCBO Collector -Base Voltage 600 V VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 V IC Collector Current -Continuous 0.2 A PC Collector Power Dissipation

Транзисторы mje13001 и 13001, mje13003 и 13003

13003C Datasheet (PDF)

Распиновка

13003F Datasheet (PDF)

Биполярный транзистор 13003E — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

13003E Datasheet (PDF)

TD13003 Datasheet (PDF)

BD13003B Datasheet (PDF)

STD13003L Datasheet (PDF)

Технические характеристики транзистора MJE13009

H13003AD Datasheet (PDF)

Маркировка

KSE13003T Datasheet (PDF)

Маркировка

WBR13003X Datasheet (PDF)

TS13003CT Datasheet (PDF)

Транзисторы 13001 13003 13005 13007 13009

13003E Datasheet (PDF)

J13003 Datasheet (PDF)

13003E
Datasheet (PDF)