Транзистор irf3205

IRF3205S MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRF3205S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10
V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 110
A

Максимальная температура канала (Tj): 150
°C

Общий заряд затвора (Qg): 97.3
nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.008
Ohm

Тип корпуса: D2PAK

IRF3205S
Datasheet (PDF)

1.1. irf3205lpbf irf3205spbf.pdf Size:280K _international_rectifier

PD — 95106IRF3205SPbFIRF3205LPbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technologyl Ultra Low On-ResistanceDVDSS = 55Vl Dynamic dv/dt Ratingl 175C Operating Temperaturel Fast SwitchingRDS(on) = 8.0mGl Fully Avalanche Ratedl Lead-FreeID = 110ASDescriptinAdvanced HEXFET Power MOSFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques t

1.2. irf3205s.pdf Size:160K _international_rectifier

PD — 94149IRF3205S/LHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyDVDSS = 55V Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating 175C Operating TemperatureRDS(on) = 8.0mG Fast Switching Fully Avalanche RatedID = 110A SDescriptionAdvanced HEXFET Power MOSFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-res

 1.3. irf3205strlpbf.pdf Size:206K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRF3205STRLPBFDESCRIPTIONDrain Current I =110A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 55V(Min)DSSFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONS .Designed for high current, high speed switching, switchmode power supplies.ABSOLUTE MAXIMU

1.4. irf3205s.pdf Size:206K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRF3205SDESCRIPTIONDrain Current I =110A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 55V(Min)DSSFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONS .Designed for high current, high speed switching, switchmode power supplies.ABSOLUTE MAXIMUM RATI

Другие MOSFET… IRF230
, IRF240
, IRF250
, IRF2807
, IRF2807L
, IRF2807S
, IRF3205
, IRF3205L
, IRF460
, IRF330
, IRF3315
, IRF3315L
, IRF3315S
, IRF340
, IRF3415
, IRF3415L
, IRF3415S
.

Аудио MOSFET транзисторы класса D

Все корпуса

Наим-е	Корпус	Напряжение пробоя	Rds(on) тип. (10 В)	Ток стока (25°C)	Заряд затвора	Класс
IRFI4024H-117P	5-pin TO-220	55V	48 mOhm	11 A	8.9 nC	Consumer
IRFI4212H-117P	5-pin TO-220	100V	58 mOhm	11 A	12 nC	Consumer
IRFI4019H-117P	5-pin TO-220	150V	80 mOhm	8.7	13 nC	Consumer
IRFI4020H-117P	5-pin TO-220	200V	80 mOhm	9.1 A	19 nC	Consumer
IRF6665TRPBF	DirectFET SH	100V	53 mOhm	19 A	8.7 nC	Consumer
IRF6645TRPBF	DirectFET SJ	100V	28 mOhm	25 A	14 nC	Consumer
IRF6644TRPBF	DirectFET MN	100V	10 mOhm	60 A	35 nC	Consumer
IRF6775MTRPBF	DirectFET MZ	150V	56 mOhm	28 A	25 nC	Consumer
IRF6785MTRPBF	DirectFET MZ	200V	85 mOhm	15 A	26 nC	Consumer
IRF6648TRPBF	DirectFET MN	60V	5.5 mOhm	86 A	36 nC	Consumer
IRF6668TRPBF	DirectFET MZ	80V	12 mOhm	55 A	22 nC	Consumer
IRF6646TRPBF	DirectFET MN	80V	7.6 mOhm	68 A	36 nC	Consumer
IRFB4212PBF	TO-220	100V	72.5 mOhm	18 A	15 nC	Industrial
IRFB4019PBF	TO-220	150V	80 mOhm	17 A	13 nC	Consumer
IRFB5615PBF	TO-220	150V	32 mOhm	35 A	26 nC	Industrial
IRFB4228PBF	TO-220	150V	12 mOhm	83 A	72 nC	Industrial
IRFB4020PBF	TO-220	200V	80 mOhm	18 A	18 nC	Consumer
IRFB4227PBF	TO-220	200V	19.7 mOhm	65 A	70 nC	Industrial
IRFB5620PBF	TO-220	200V	60 mOhm	25 A	25 nC	Industrial
IRFP4668PBF	TO-247	200V	8 mOhm	130 A	161 nC	Industrial
IRFB4229PBF	TO-220	250V	38 mOhm	46 A	72 nC	Industrial
IRFP4768PBF	TO-247	250V	14.5 mOhm	93 A	180 nC	Industrial

IRF3205ZL Datasheet (PDF)

1.1. irf3205zpbf irf3205zlpbf irf3205zspbf.pdf Size:379K _international_rectifier

PD — 95129AIRF3205ZPbFIRF3205ZSPbFIRF3205ZLPbFFeaturesl Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceDl 175C Operating TemperatureVDSS = 55Vl Fast Switchingl Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxRDS(on) = 6.5ml Lead-FreeGDescriptionID = 75ASThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latestprocessing techniques to achieve e

2.1. auirf3205zstrl.pdf Size:330K _international_rectifier

PD — 97542AUTOMOTIVE GRADEAUIRF3205ZAUIRF3205ZSFeatures Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance 175C Operating Temperature DV(BR)DSS55V Fast SwitchingRDS(on) max.6.5m Repetitive Avalanche Allowed up toTjmaxGID (Silicon Limited) 110A Lead-Free, RoHS CompliantS Automotive Qualified *ID (Package Li

2.2. irf3205z.pdf Size:181K _international_rectifier

PD — 94653AUTOMOTIVE MOSFETIRF3205ZHEXFET Power MOSFETFeaturesD Advanced Process TechnologyVDSS = 55V Ultra Low On-Resistance 175C Operating TemperatureRDS(on) = 6.5m Fast SwitchingG Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxID = 75ASDescriptionSpecifically designed for Automotive applications, this HEXFET PowerMOSFET utilizes the latest

 2.3. irf3205zs.pdf Size:258K _inchange_semiconductor

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRF3205ZSFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Vol

2.4. irf3205z.pdf Size:246K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRF3205ZIIRF3205ZFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 6.5mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM

IRFH3205 MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRFH3205

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 320
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20
V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 110
A

Максимальная температура канала (Tj): 150
°C

Время нарастания (tr): 101
ns

Выходная емкость (Cd): 781
pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.008
Ohm

Тип корпуса: TO247

IRFH3205
Datasheet (PDF)

1.1. irfh3205.pdf Size:266K _blue-rocket-elect

IRFH3205(CSH3205) N-Channel MOSFET/N MOS : DC/DC Purpose: These devices are well suited for high efficiency switching DC/DC converters and switch mode power supplies. : Features: Low On-Resistance, fast switching. /Absolute maximum ratings(Ta=25)

5.1. irfh3702pbf.pdf Size:254K _international_rectifier

PD — 97368IRFH3702PbFApplications HEXFET Power MOSFETl Synchronous Buck Converter for ComputerVDSS RDS(on) maxQgProcessor Powerl Isolated DC to DC Converters for Network and7.1m@VGS = 10V30V 9.6nCTelecoml Buck Converters for Set-Top BoxesBenefitsSl Low RDS(ON)SDl Very Low Gate ChargeSDl Low Junction to PCB Thermal ResistanceGDl Fully Characte

5.2. irfh3707pbf-1.pdf Size:229K _international_rectifier

IRFH3707PbF-1HEXFET Power MOSFETVDS 30 VSRDS(on) max S12.4 mD(@V = 10V)GSSDQg (typical) 5.4 nCGDID 12 A D(@T = 25C)A3mm x 3mm PQFNApplicationsl Synchronous Buck Converter for Computer Processor Powerl Isolated DC to DC Converters for Network and Telecoml Buck Converters for Set-Top Boxesl System/load switchFeatures BenefitsIndustry-stand

 5.3. irfh3707pbf.pdf Size:200K _international_rectifier

PD — 96227AIRFH3707PbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl Synchronous Buck Converter for ComputerVDSS RDS(on) maxProcessor Power Qgl Isolated DC to DC Converters for Network and12.4m @VGS = 10V30V 5.4nCTelecoml Buck Converters for Set-Top Boxesl System/load switchBenefitsSl Low RDS(ON)SDl Very Low Gate ChargeSDl Low Junction to PCB Thermal ResistanceG

Другие MOSFET… BRM501D
, BRP50N20
, BRS1N60
, BRS1N70
, BRS1N80
, BRS3N25
, BRU20N50
, IRFB830
, BF245A
, SI2306
, VTI630
, VTI630F
, VTI634F
, VTI640
, VTI640F
, SSP2N60B
, SSS2N60B
.

WFP3205 MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: WFP3205

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 50
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20
V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4
V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 110
A

Максимальная температура канала (Tj): 150
°C

Общий заряд затвора (Qg): 133
nC

Время нарастания (tr): 101
ns

Выходная емкость (Cd): 781
pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.008
Ohm

Тип корпуса: TO-220

WFP3205
Datasheet (PDF)

1.1. wfp3205.pdf Size:878K _winsemi

WFP3205WFP3205WFP3205WFP3205Silicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 110A,50V, R (Max 8m)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical133nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced usi

1.2. wfp3205t.pdf Size:1079K _winsemi

WFP3205TWFP3205TWFP3205TWFP3205TSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETSilicon N-Channel MOSFETFeatures 109A,60V, R (Max 8m)@V =10VDS(on) GS Ultra-low Gate charge(Typical 50nC) Fast Switching Capability 100%Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range(150)General DescriptionThis Power MOSFET is produced

Другие MOSFET… WFP12N60
, WFP12N65
, WFP12N65S
, WFP13N50
, WFP18N20
, WFP18N50
, WFP2N60
, WFP2N60B
, 2N4416
, WFP3205T
, WFP4N60
, WFP50N06
, WFP50N06C
, WFP5N50
, WFP5N60
, WFP5N60B
, WFP5N80
.

2N3205 Datasheet (PDF)

5.1. 2n319 2n320 2n321.pdf Size:327K _general_electric

5.2. 2n2894 2n3209.pdf Size:113K _st

 5.3. 2n3202.pdf Size:11K _semelab

2N3202Dimensions in mm (inches). Bipolar PNP Device in a 8.51 (0.34)9.40 (0.37) Hermetically sealed TO39 7.75 (0.305)8.51 (0.335)Metal Package. 6.10 (0.240)6.60 (0.260)Bipolar PNP Device. 0.89max.(0.035)12.70(0.500)min. 0.41 (0.016)0.53 (0.021)VCEO = 40V dia.IC = 3A 5.08 (0.200)typ.2.54All Semelab hermetically sealed products 2(0.100) 1 3

5.4. 2n3209xcsm.pdf Size:25K _semelab

2N3209XCSM MECHANICAL DATA HIGH SPEED PNP Dimensions in mm (inches) SWITCHING TRANSISTOR FOR HIGH RELIABILITY 0.51 0.10(0.02 0.004) 0.31rad.(0.012)APPLICATIONS 32 1FEATURES SILICON PLANAR EPITAXIAL PNP 1.91 0.10 (0.075 0.004)ATRANSISTOR 0.31rad.(0.012)3.05 0.13 HERMETIC CERAMIC SURFACE MOUNT (0.12 0.005)1.40(0.055)PA

 5.5. 2n3209x.pdf Size:24K _semelab

2N3209X MECHANICAL DATA HIGH SPEED PNP Dimensions in mm (inches) 5.84 (0.230) SWITCHING 5.31 (0.209)TRANSISTOR 4.95 (0.195)4.52 (0.178)FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS FEATURES SILICON PLANAR EPITAXIAL PNP TRANSISTOR SCREENING OPTIONS AVAILABLE 0.48 (0.019) SPACE QUALITY LEVEL OPTIONS 0.41 (0.016) HIGH SPEED SATURATED SWITCHING dia. APPLI

Справочник MOSFET. IRF3205STRLPBF

Планарные MOSFETS транзисторы

D-PAK (доступны в корпусах I-Pak)

30 В		30V, 46A, 19 mOhm, 33.3 nC Qg, Logic Level, D-Pak
40 В		40V, 87A, 9.2 mOhm, 48 nC Qg, D-Pak
55 В		55V, 71A, 13 mOhm, 62 nC Qg, D-Pak
75 В		75V, 42A, 26 mOhm, 74 nC Qg, D-Pak
100 В		100V, 32A, 44 mOhm, 48 nC Qg, D-Pak

D2PAK (доступны в корпусах TO-262)

30 В		30V, 200A, 3 mOhm, 75 nC Qg, Logic Level, D2-Pak
40 В		40V, 160A, 4 mOhm, 93.3 nC Qg, Logic Level, D2-Pak
	40V, 162A, 4 mOhm, 160 nC Qg, D2-Pak
55 В		55V, 104A, 8 mOhm, 86.7 nC Qg, Logic Level, D2-Pak
	55V, 135A, 4.7 mOhm, 150 nC Qg, D2-Pak
75 В		75V, 105A, 7 mOhm, 150 nC Qg, D2-Pak
100 В		100V, 80A, 15 mOhm, 81 nC Qg, D2-Pak
	100V, 103A, 11.6 mOhm, 100 nC Qg, D2-Pak

TO-220 и TO-247

30 В		30V, 200A, 3 mOhm, 75 nC Qg, Logic Level, TO-220AB
40 В		40V, 160A, 4 mOhm, 93.3 nC Qg, Logic Level, TO-220AB
	40V, 162A, 4 mOhm, 160 nC Qg, TO-220AB
55 В		55V, 133A, 5.3 mOhm, 170 nC Qg, TO-220AB
	55V, 160A, 5.3 mOhm, 120 nC Qg, TO-247AC
75 В		75V, 177A, 4.5 mOhm, 410 nC Qg, TO-247AC
100 В		100V, 80A, 15 mOhm, 81 nC Qg, TO-220AB
	100V, 51A, 250 mOhm, 66.7 nC Qg, TO-247AC

Справочник MOSFET. IRF3205

IRF3205ZL MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRF3205ZL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 170
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20
V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4
V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 110
A

Максимальная температура канала (Tj): 175
°C

Общий заряд затвора (Qg): 76
nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0065
Ohm

Тип корпуса: TO262

IRF3205ZL
Datasheet (PDF)

1.1. irf3205zpbf irf3205zlpbf irf3205zspbf.pdf Size:379K _international_rectifier

PD — 95129AIRF3205ZPbFIRF3205ZSPbFIRF3205ZLPbFFeaturesl Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceDl 175C Operating TemperatureVDSS = 55Vl Fast Switchingl Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxRDS(on) = 6.5ml Lead-FreeGDescriptionID = 75ASThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latestprocessing techniques to achieve e

2.1. auirf3205zstrl.pdf Size:330K _international_rectifier

PD — 97542AUTOMOTIVE GRADEAUIRF3205ZAUIRF3205ZSFeatures Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance 175C Operating Temperature DV(BR)DSS55V Fast SwitchingRDS(on) max.6.5m Repetitive Avalanche Allowed up toTjmaxGID (Silicon Limited) 110A Lead-Free, RoHS CompliantS Automotive Qualified *ID (Package Li

2.2. irf3205z.pdf Size:181K _international_rectifier

PD — 94653AUTOMOTIVE MOSFETIRF3205ZHEXFET Power MOSFETFeaturesD Advanced Process TechnologyVDSS = 55V Ultra Low On-Resistance 175C Operating TemperatureRDS(on) = 6.5m Fast SwitchingG Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxID = 75ASDescriptionSpecifically designed for Automotive applications, this HEXFET PowerMOSFET utilizes the latest

 2.3. irf3205zs.pdf Size:258K _inchange_semiconductor

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRF3205ZSFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Vol

2.4. irf3205z.pdf Size:246K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRF3205ZIIRF3205ZFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 6.5mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM

Другие MOSFET… IRF2907Z
, IRF2907ZL
, IRF2907ZS
, IRF2907ZS-7P
, IRF3007
, IRF3007L
, IRF3007S
, IRF3205Z
, IRFP250N
, IRF3205ZS
, IRF3305
, IRF3515L
, IRF3610S
, IRF3703
, IRF3704Z
, IRF3704ZCS
, IRF3704ZL
.

Имитация бруса: фото примеры, отделка дома внутри и снаружи, особенности материала

IRF3205ZPBF MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRF3205ZPBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 170
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20
V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4
V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 75
A

Максимальная температура канала (Tj): 175
°C

Общий заряд затвора (Qg): 110
nC

Время нарастания (tr): 95
ns

Выходная емкость (Cd): 550
pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0065
Ohm

Тип корпуса: TO220AB

IRF3205ZPBF
Datasheet (PDF)

1.1. irf3205zpbf irf3205zlpbf irf3205zspbf.pdf Size:379K _international_rectifier

PD — 95129AIRF3205ZPbFIRF3205ZSPbFIRF3205ZLPbFFeaturesl Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceDl 175C Operating TemperatureVDSS = 55Vl Fast Switchingl Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxRDS(on) = 6.5ml Lead-FreeGDescriptionID = 75ASThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latestprocessing techniques to achieve e

2.1. auirf3205zstrl.pdf Size:330K _international_rectifier

PD — 97542AUTOMOTIVE GRADEAUIRF3205ZAUIRF3205ZSFeatures Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance 175C Operating Temperature DV(BR)DSS55V Fast SwitchingRDS(on) max.6.5m Repetitive Avalanche Allowed up toTjmaxGID (Silicon Limited) 110A Lead-Free, RoHS CompliantS Automotive Qualified *ID (Package Li

2.2. irf3205z.pdf Size:181K _international_rectifier

PD — 94653AUTOMOTIVE MOSFETIRF3205ZHEXFET Power MOSFETFeaturesD Advanced Process TechnologyVDSS = 55V Ultra Low On-Resistance 175C Operating TemperatureRDS(on) = 6.5m Fast SwitchingG Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxID = 75ASDescriptionSpecifically designed for Automotive applications, this HEXFET PowerMOSFET utilizes the latest

 2.3. irf3205zs.pdf Size:258K _inchange_semiconductor

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRF3205ZSFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Vol

2.4. irf3205z.pdf Size:246K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRF3205ZIIRF3205ZFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 6.5mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM

Другие MOSFET… IRF253
, IRF320
, IRF3205A
, IRF3205H
, IRF3205LPBF
, IRF3205PBF
, IRF3205SPBF
, IRF3205ZLPBF
, IRFZ34N
, IRF3205ZSPBF
, IRF321
, IRF322
, IRF323
, IRF3305PBF
, IRF330R
, IRF331
, IRF331R
.

2SK3205 MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: 2SK3205

Маркировка: K3205

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 20
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 150
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20
V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2
V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5
A

Максимальная температура канала (Tj): 150
°C

Общий заряд затвора (Qg): 12
nC

Время нарастания (tr): 10
ns

Выходная емкость (Cd): 145
pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.5
Ohm

Тип корпуса: PWMold, SC64

2SK3205
Datasheet (PDF)

1.1. 2sk3205.pdf Size:196K _toshiba

2SK3205 2 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (L —MOSV) 2SK3205 Switching Regulator Applications DC-DC Converter, and Unit: mmMotor Drive Applications 4 V gate drive Low drain-source ON resistance : RDS (ON) = 0.36 (typ.) High forward transfer admittance : |Yfs| = 4.5 S (typ.) Low leakage current : IDSS = 100 A (max) (VDS = 150 V)

4.1. rej03g1090 2sk3209ds.pdf Size:66K _renesas

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

4.2. 2sk3209.pdf Size:53K _renesas

2SK3209 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching REJ03G1090-0300 (Previous: ADE-208-759A) Target Specification Rev.3.00 Sep 07, 2005 Features Low on-resistance RDS = 40 m typ. High speed switching 4 V gate drive device can be driven from 5 V source Outline RENESAS Package code: PRSS0003AD-A(Package name: TO-220FM)DG1. Gate2. Drain

 4.3. 2sk319 2sk320.pdf Size:51K _hitachi

4.4. 2sk3203l 2sk3203s.pdf Size:54K _hitachi

2SK3203(L), 2SK3203(S)Silicon N Channel MOS FETHigh Speed Power SwitchingADE-208-1384A (Z)2nd. EditionJan. 2001Features Low on-resistanceRDS(on) =11m typ. Low drive current 5V gate drive device can be driven from 5V sourceOutlineLDPAK4 4D1231G 231. Gate2. Drain3. Source4. DrainS2SK3203(L), 2SK3203(S)Absolute Maximum Ratings (Ta = 2

 4.5. 2sk3203.pdf Size:58K _hitachi

2SK3203(L), 2SK3203(S)Silicon N Channel MOS FETHigh Speed Power SwitchingADE-208-1384A (Z)2nd. EditionJan. 2001Features Low on-resistanceRDS(on) =11m typ. Low drive current 5V gate drive device can be driven from 5V sourceOutlineLDPAK4 4D1231G 231. Gate2. Drain3. Source4. DrainS2SK3203(L), 2SK3203(S)Absolute Maximum Ratings (Ta = 2

Другие MOSFET… 2SK3090
, 2SK3117
, 2SK3125
, 2SK3126
, 2SK3127
, 2SK3128
, 2SK3130
, 2SK3176
, IRFBC40
, 2SK3236
, 2SK3265
, 2SK3302
, 2SK3309
, 2SK3312
, 2SK3313
, 2SK3316
, 2SK3342
.

Биполярный транзистор KTC3205 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: KTC3205

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175
°C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100

Корпус транзистора: TO92

KTC3205
Datasheet (PDF)

1.1. ktc3205-o-y.pdf Size:267K _mcc

MCCTM Micro Commercial Components20736 Marilla Street ChatsworthKTC3205Micro Commercial ComponentsCA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939FeaturesNPN Power Dissipation: 1W (Tamb=25 ) Collector Current: 2APlastic-Encapsulate Collector-base Voltage: 30V Epoxy meets UL 94 V-0 flammability ratingTransistor Moisture Sensitivity Level 1 Ma

1.2. ktc3205.pdf Size:78K _kec

SEMICONDUCTOR KTC3205TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORHIGH CURRENT APPLICATION.B DFEATURES Complementary to KTA1273.DIM MILLIMETERSPDEPTH:0.2A 7.20 MAXB 5.20 MAXCC 0.60 MAXSMAXIMUM RATING (Ta=25 )D 2.50 MAXQE 1.15 MAXKCHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITF 1.27G 1.70 MAXVCBOCollector-Base Voltage 30 V H 0.55 MAXFF_J 14.00 + 0.50VCE

 1.3. ktc3205.pdf Size:444K _htsemi

KTC3205 TRANSISTOR (NPN) TO-92L 1. EMITTER FEATURES 2. COLLECTOR Complementary to KTA1273 3. BASE MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units 1 2 3 VCBO Collector-Base Voltage 30 VVCEO Collector-Emitter Voltage 30 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current -Continuous 2 A PC Collector Power Dissipation 1 W TJ Juncti

1.4. ktc3205 to-92l.pdf Size:199K _lge

KTC3205 TO-92L Transistor (NPN)TO-92L1. EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE 4.700 2 3 5.1001Features7.800 8.200 Complementary to KTA1273 0.6000.800MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units 0.3500.55013.800VCBO Collector-Base Voltage 30 V14.200VCEO Collector-Emitter Voltage 30 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collec

 1.5. ktc3205t.pdf Size:866K _blue-rocket-elect

KTC3205T(BR3DG3205T) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions SOT-89 NPN Silicon NPN transistor in a SOT-89 Plastic Package. / Features KTA1273T(BR3CG1273T)Complementary pair with KTA1273T(BR3CG1273T). / Applications High current application. / Equivalent Circuit

Другие транзисторы… KTC3198A
, KTC3198L
, KTC3199
, KTC3199L
, KTC3200
, KTC3202
, KTC3203
, KTC3204
, 2N2219
, KTC3206
, KTC3208
, KTC3226
, KTC3227
, KTC3228
, KTC3229
, KTC3230
, KTC3231
.

Принцип работы

Назначение выводов сток и исток  у мосфетов  аналогичны контактам коллектора и эмиттера биполярного транзистора. Эти выводы делаются из материала n-типа, а корпус устройства и подложка из материала p-типа. Добавление диоксида кремния SiO₂ на подложку образует тонкий слой диэлектрика, который отделяет клемму затвора от всего корпуса.

Получается однополярное устройство, в котором проводимость осуществляется движением электронов. Область между стоком и истоком образуют свободную от носителей заряда зону. Ее насыщение электронами управляется путем подачи положительного напряжения на клемму затвора.

Оно изменяет распределение заряда в полупроводнике, поэтому дырки под слоем диэлектрика, под действием электрического поля двигаются вниз, а свободные электроны притягиваются к области вверх, образуя таким образом n-переход. По этому переходу в последующем и течет электрический ток, сила которого зависит от величины приложенного на затвор напряжения. Возможная схема включения irf3205 показан на рисунке ниже.

Так же, в зависимости от величины управляющего сигнала МОП-транзистор закрываться (низкая проводимость) или в открываться (высокая проводимость).

IRF3205ZS Datasheet (PDF)

1.1. irf3205zpbf irf3205zlpbf irf3205zspbf.pdf Size:379K _international_rectifier

PD — 95129AIRF3205ZPbFIRF3205ZSPbFIRF3205ZLPbFFeaturesl Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceDl 175C Operating TemperatureVDSS = 55Vl Fast Switchingl Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxRDS(on) = 6.5ml Lead-FreeGDescriptionID = 75ASThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latestprocessing techniques to achieve e

1.2. auirf3205zstrl.pdf Size:330K _international_rectifier

PD — 97542AUTOMOTIVE GRADEAUIRF3205ZAUIRF3205ZSFeatures Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance 175C Operating Temperature DV(BR)DSS55V Fast SwitchingRDS(on) max.6.5m Repetitive Avalanche Allowed up toTjmaxGID (Silicon Limited) 110A Lead-Free, RoHS CompliantS Automotive Qualified *ID (Package Li

 1.3. irf3205zs.pdf Size:258K _inchange_semiconductor

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRF3205ZSFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Vol

IRFI3205 Datasheet (PDF)

1.1. irfi3205.pdf Size:107K _international_rectifier

PD — 9.1374BIRFI3205HEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Ultra Low On-ResistanceVDSS = 55V Isolated Package High Voltage Isolation = 2.5KVRMS RDS(on) = 0.008 Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8mmG Fully Avalanche RatedID = 64ADescription SFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextreme

1.2. irfi3205pbf.pdf Size:277K _international_rectifier

PD — 95040AIRFI3205PbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technologyl Ultra Low On-ResistanceDl Isolated PackageVDSS = 55Vl High Voltage Isolation = 2.5KVRMS l Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8mmRDS(on) = 0.008Gl Fully Avalanche Ratedl Lead-FreeID = 64ADescription SFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techni

 1.3. irfi3205.pdf Size:201K _inchange_semiconductor

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor IRFI3205FEATURESWith TO-220F packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistanceReduced switching and conduction losses100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

Формула расчета площади неправильного многоугольника

Если точки пронумерованы последовательно в направлении против часовой стрелки, то детерминанты в формуле выше положительны и модуль в ней может быть опущен; если они пронумерованы в направлении по часовой стрелке, детерминанты будут отрицательными. Это происходит потому, что формула может рассматриваться как частный случай теоремы Грина. Для применения формулы необходимо знать координаты вершин многоугольника в декартовой плоскости.

Для примера возьмём треугольник с координатами {(2, 1), (4, 5), (7, 8)}. Возьмём первую х -координату первой вершины и умножим её на y -координату второй вершины, а затем умножим х второй вершины на y третьей. Повторим эту процедуру для всех вершин. Результат может быть определен по следующей формуле: A tri.

https://youtube.com/watch?v=N8kcd6smUy4

CS3205 Datasheet (PDF)

1.1. jcs3205ch jcs3205sh.pdf Size:868K _1

N N-CHANNEL MOSFET RJCS3205H Package MAIN CHARACTERISTICS ID 110 A VDSS 55 V Rdson-max 8 m @Vgs=10V Qg-typ 78nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies UPS UPS FEATURES Low gate charge

1.2. cs3205 b8.pdf Size:308K _crhj

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS3205 B8 General Description VDSS 55 V CS3205 B8, the silicon N-channel Enhanced ID 120 A PD(TC=25) 230 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar RDS(ON)Typ 7.6 m Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power

 1.3. cs3205 a8.pdf Size:427K _crhj

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS3205 A8 VDSS 60 V General Description ID 120 A CS3205A8, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, PD (TC=25) 230 W is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce RDS(ON)Typ 7 m the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power swi

1.4. cs3205 cs5y3205.pdf Size:66K _china

CS5Y3205N PD TC=25 100 W 0.8 W/ID VGS=10V,TC=25 18 AID VGS=10V,TC=100 18 AIDM 72 A VGS 20 VTjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 1.25 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 55 VRDS on VGS=10V,ID=18A 0.022 VGS

 1.5. cs3205a8.pdf Size:2855K _citcorp

CS3025A860V Silicon N-Channel Power MOSFET Features Outline Fast switching. TO-220AB ESD improved capability.0.189(4.80)0.173(4.30) Low gate charge.0.409(10.50)0.378(10.10) 0.114(1.40) Low reverse transfer capacitances.0.098(1.20) 100% single pulse avalanche energy test.0.638(16.0)0.606(15.0)Marking code Mechanical dataG D S Epoxy

1.6. cs3205b8.pdf Size:429K _wuxi_china

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS3205 B8 General Description VDSS 55 V CS3205 B8, the silicon N-channel Enhanced ID 120 A PD(TC=25) 230 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar RDS(ON)Typ 7.6 m Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power