Irfz44n транзистор характеристики, аналоги, datasheet на русском

Содержание

1 IRFZ44NPBF Datasheet (PDF)
2 IRFZ44NL Datasheet (PDF)
3 AUIRFZ44N Datasheet (PDF)
4 IRFZ44ZS Datasheet (PDF)
5 Маркировка
6 IRFZ44E Datasheet (PDF)
7 IRFZ44NS Datasheet (PDF)
8 IRFZ44V MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
9 IRFZ44V Datasheet (PDF)
10 IRFZ44N
11 IRFZ44N Datasheet (PDF)

IRFZ44NPBF Datasheet (PDF)

1.1. irfz44npbf.pdf Size:226K _international_rectifier

PD — 94787BIRFZ44NPbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technologyl Ultra Low On-ResistanceDl Dynamic dv/dt RatingVDSS = 55Vl 175C Operating Temperaturel Fast SwitchingRDS(on) = 17.5ml Fully Avalanche RatedGl Lead-FreeID = 49ASDescriptionAdvanced HEXFET Power MOSFETs from InternationalRectifier utilize advanced processing techniques to achieveex

3.1. irfz44ns 1.pdf Size:57K _philips

Philips Semiconductors Product specification N-channel enhancement mode IRFZ44NS TrenchMOSTM transistorGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITstandard level field-effect powertransistor in a surface mounting VDS Drain-source voltage 55 Vplastic envelope using trench ID Drain current (DC) 49 Atechnology. The device feat

3.2. irfz44n 1.pdf Size:52K _philips

Philips Semiconductors Product specification N-channel enhancement mode IRFZ44N TrenchMOSTM transistorGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITstandard level field-effect powertransistor in a plastic envelope using VDS Drain-source voltage 55 Vtrench technology. The device ID Drain current (DC) 49 Afeatures very low on-s

3.3. irfz44ns 1.pdf Size:57K _international_rectifier

Транзистор irf3205

3.4. irfz44n 1.pdf Size:52K _international_rectifier

3.5. irfz44ns.pdf Size:151K _international_rectifier

PD — 94153IRFZ44NSIRFZ44NL Advanced Process Technology Surface Mount (IRFZ44NS) HEXFET Power MOSFET Low-profile through-hole (IRFZ44NL)D 175C Operating TemperatureVDSS = 55V Fast Switching Fully Avalanche RatedRDS(on) = 0.0175DescriptionGAdvanced HEXFET Power MOSFETs from InternationalID = 49ARectifier utilize advanced processing techniques to achievee

3.6. irfz44n.pdf Size:100K _international_rectifier

Транзисторы mje13001 и 13001, mje13003 и 13003

PD — 94053IRFZ44NHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyDVDSS = 55V Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating 175C Operating TemperatureRDS(on) = 17.5mG Fast Switching Fully Avalanche RatedID = 49ASDescriptionAdvanced HEXFET Power MOSFETs from InternationalRectifier utilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistan

3.7. irfz44nlpbf irfz44nspbf.pdf Size:334K _international_rectifier

IRFZ44NSPbFl IRFZ44NLPbFl l l D DSS l l l DS(on) Description G D

3.8. lirfz44n.pdf Size:252K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.55V N-Channel Mode MOSFET VDS=55V LIRFZ44NRDS(ON), Vgs@10V, Ids@25A =17.5m Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating 175C Operating Temperature Fast Switching Fully Avalanche RatedTO-220DGSAbsolute Maximum RatingsParameter Max. UnitsID @ TC = 25C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 49ID @ TC = 10

3.9. irfz44ns.pdf Size:257K _inchange_semiconductor

Viper22a схема регулировка тока

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFZ44NSFEATURESWith TO-263( D2PAK ) packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aS

3.10. irfz44n.pdf Size:100K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc N-Channel MOSFET Transistor IRFZ44N FEATURES Drain Current ID=49A@ TC=25 Drain Source Voltage- : VDSS= 55V(Min) Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.032(Max) Fast Switching DESCRIPTION Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and power motor

IRFZ44NL Datasheet (PDF)

1.1. irfz44nlpbf irfz44nspbf.pdf Size:334K _international_rectifier

IRFZ44NSPbFl IRFZ44NLPbFl l l D DSS l l l DS(on) Description G D

3.1. irfz44ns 1.pdf Size:57K _philips

3.2. irfz44n 1.pdf Size:52K _philips

3.3. irfz44ns 1.pdf Size:57K _international_rectifier

3.4. irfz44npbf.pdf Size:226K _international_rectifier

3.5. irfz44n 1.pdf Size:52K _international_rectifier

3.6. irfz44ns.pdf Size:151K _international_rectifier

3.7. irfz44n.pdf Size:100K _international_rectifier

3.8. lirfz44n.pdf Size:252K _lrc

3.9. irfz44ns.pdf Size:257K _inchange_semiconductor

3.10. irfz44n.pdf Size:100K _inchange_semiconductor

AUIRFZ44N Datasheet (PDF)

2.1. auirfz44zstrl.pdf Size:327K _international_rectifier

PD — 97543AUIRFZ44ZAUTOMOTIVE GRADEAUIRFZ44ZSFeatures Advanced Process Technology HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance 175C Operating Temperature DV(BR)DSS55V Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up toRDS(on) max.13.9mTjmaxG Lead-Free, RoHS CompliantID51AS Automotive Qualified *DDescriptionDSpecifically

2.2. auirfz44vzstrl.pdf Size:274K _international_rectifier

PD — 96354AUTOMOTIVE GRADEAUIRFZ44VZSHEXFET Power MOSFETFeaturesl Advanced Process Technology DV(BR)DSS60Vl Ultra Low On-ResistanceRDS(on) typ.9.6ml 175C Operating Temperaturel Fast Switching Gmax. 12ml Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxSl Lead-Free, RoHS Compliant ID 57A l Automotive Qualified *DescriptionDSpecifically designed for Automo

3.1. auirfz48zstrl.pdf Size:252K _international_rectifier

PD — 97612AAUTOMOTIVE GRADEAUIRFZ48ZAUIRFZ48ZSFeaturesl Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceDl 175C Operating TemperatureV(BR)DSS55Vl Fast Switchingl Repetitive Avalanche Allowed upRDS(on) max.11mGto Tjmaxl Lead-Free, RoHS CompliantID61ASl Automotive Qualified *DescriptionSpecifically designed for Automot

3.2. auirfz46ns.pdf Size:245K _international_rectifier

PD — 96434AUTOMOTIVE GRADEAUIRFZ46NSAUIRFZ46NLFeaturesHEXFET Power MOSFETl Advanced Planar Technologyl Low On-ResistanceV(BR)DSSD 55Vl Dynamic dV/dT Ratingl 175C Operating Temperaturel Fast Switching RDS(on) max.16.5ml Fully Avalanche RatedGl Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxID(Silicon Limited) 53Al Lead-Free, RoHS Compliantl Automotive Qualifi

IRFZ44ZS Datasheet (PDF)

1.1. auirfz44zstrl.pdf Size:327K _international_rectifier

1.2. irfz44zlpbf irfz44zpbf irfz44zspbf.pdf Size:382K _international_rectifier

PD — 95379AIRFZ44ZPbFIRFZ44ZSPbFFeatures Advanced Process TechnologyIRFZ44ZLPbF Ultra Low On-ResistanceHEXFET Power MOSFET Dynamic dv/dt Rating 175C Operating TemperatureD Fast SwitchingVDSS = 55V Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-FreeRDS(on) = 13.9mGDescriptionID = 51ASThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latestprocessing techniqu

1.3. irfz44zs.pdf Size:258K _inchange_semiconductor

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRFZ44ZSFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Volt

Маркировка

Префикс IRF напоминает о происхождение рассматриваемого экземляра на заводах известной американского компании International Rectifier (IR). В 2007 году IR продала технологию производства МОП-транзисторов компании Vishay Intertechnology, а уже в 2015 году другая компания (Infineon Technologies) поглотила IR. В настоящее время многие независимые производители продолжают выпускать свою продукцию с префиксом IRF, поэтому на рынке современных радиокомпонентов можно встретить и других производителей, выпускающих продукцию с такими же символами в обозначении. Например Vishay, которая больше не выпускает транзисторы irfz44n, однако у нее есть другие похожие устройства, например: IRFZ44, IRFZ44R, IRFZ44S, IRFZ44SL.

В даташит оригинального устройства указывается наличие фирменной HEXFET-технологии изготовления от International Rectifier Corporation, которая позволяет значительно снизить сопротивление электронных компонентов и соответственно уменьшить нагрев во время их работы. Так же отпадает необходимость применения охлаждающего радиатора. Технология стала популярной в 1978 году, но её до сих пор применяют при изгодовлении силовых MOSFET-транзисторов. Упрощенно HEXFET-структура International Rectifier, представлена на рисунке.

IRFZ44N фирмы IR изготовленный с HEXFET-структурой, имеет самое низкое сопротивление между стоком и истоком 17.5 миллиом. Обозначение “Power MOSFET” в техописании указывает на принадлежность устройства к мощным полупроводниковым приборам.

IRFZ44E Datasheet (PDF)

1.1. irfz44e.pdf Size:96K _international_rectifier

PD — 91671BIRFZ44EHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyDVDSS = 60V Dynamic dv/dt Rating 175C Operating Temperature Fast SwitchingRDS(on) = 0.023G Fully Avalanche RatedID = 48ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Thisbenefi

1.2. irfz44espbf.pdf Size:234K _international_rectifier

PD — 95572IRFZ44ESPbFIRFZ44ELPbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technologyl Surface Mount (IRFZ44ES)DVDSS = 60Vl Low-profile through-hole (IRFZ44EL)l 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.023l Fast SwitchingGl Fully Avalanche RatedID = 48Al Lead-FreeSDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advancedprocessing tec

1.3. irfz44epbf.pdf Size:150K _international_rectifier

PD — 94822IRFZ44EPbFHEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology Dynamic dv/dt Rating DVDSS = 60V 175C Operating Temperature Fast SwitchingRDS(on) = 0.023 Fully Avalanche RatedG Lead-FreeID = 48ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area.

1.4. irfz44es.pdf Size:163K _international_rectifier

PD — 9.1714IRFZ44ES/LPRELIMINARYHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyDVDSS = 60V Surface Mount (IRFZ44ES) Low-profile through-hole (IRFZ44EL) 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.023G Fast Switching Fully Avalanche RatedID = 48ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advancedprocessing techniques to achieve

1.5. irfz44e.pdf Size:246K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRFZ44E IIRFZ44EFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 23mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM R

1.6. irfz44es.pdf Size:205K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRFZ44ESFEATURESWith TO-263(D2PAK) packagingUninterruptible power supplyHigh speed switchingHard switched and high frequency circuits100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationzAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =2

IRFZ44NS Datasheet (PDF)

1.1. irfz44ns 1.pdf Size:57K _philips

1.2. irfz44ns 1.pdf Size:57K _international_rectifier

1.3. irfz44ns.pdf Size:151K _international_rectifier

1.4. irfz44nlpbf irfz44nspbf.pdf Size:334K _international_rectifier

IRFZ44NSPbFl IRFZ44NLPbFl l l D DSS l l l DS(on) Description G D

1.5. irfz44ns.pdf Size:257K _inchange_semiconductor

IRFZ44V MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRFZ44V

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 115
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20
V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 55
A

Общий заряд затвора (Qg): 44.7
nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0165
Ohm

Тип корпуса: TO220AB

IRFZ44V
Datasheet (PDF)

1.1. irfz44vpbf.pdf Size:226K _international_rectifier

PD — 94826AIRFZ44VPbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technologyl Ultra Low On-ResistanceDl Dynamic dv/dt Rating VDSS = 60Vl 175C Operating Temperaturel Fast SwitchingRDS(on) = 16.5ml Fully Avalanche Rated Gl Optimized for SMPS ApplicationsID = 55ASl Lead-FreeDescriptionAdvanced HEXFET Power MOSFETs from InternationalRectifier utilize advanced pro

1.2. irfz44v.pdf Size:229K _international_rectifier

PD — 93957AIRFZ44VHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyDVDSS = 60V Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating 175C Operating TemperatureRDS(on) = 16.5mWG Fast Switching Fully Avalanche RatedID = 55A Optimized for SMPS Applications SDescriptionAdvanced HEXFET Power MOSFETs from InternationalRectifier utilize advanced processing techniques to ac

1.3. irfz44vzl irfz44vzpbf irfz44vzspbf.pdf Size:301K _international_rectifier

PD — 94755IRFZ44VZAUTOMOTIVE MOSFETIRFZ44VZSIRFZ44VZLFeaturesHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Ultra Low On-ResistanceVDSS = 60V 175C Operating Temperature Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxRDS(on) = 12mGDescriptionID = 57ASpecifically designed for Automotive applications,Sthis HEXFET Power MOSFE

1.4. irfz44vs.pdf Size:145K _international_rectifier

PD — 94050AIRFZ44VSIRFZ44VLHEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-ResistanceD Dynamic dv/dt RatingVDSS = 60V 175C Operating Temperature Fast SwitchingRDS(on) = 16.5m Fully Avalanche RatedG Optimized for SMPS ApplicationsID = 55ASDescriptionAdvanced HEXFET Power MOSFETs from International Rectifier utilize advancedprocessing te

1.5. auirfz44vzstrl.pdf Size:274K _international_rectifier

1.6. irfz44v.pdf Size:245K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRFZ44V IIRFZ44VFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 16.5mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM

1.7. irfz44vzs.pdf Size:257K _inchange_semiconductor

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRFZ44VZSFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Vol

1.8. irfz44vz.pdf Size:245K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRFZ44VZIIRFZ44VZFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 12mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM

Другие MOSFET… IRFU3711Z
, IRFU3806
, IRFU4104
, IRFU4105Z
, IRFU4615
, IRFU4620
, IRFU48Z
, IRFU9N20D
, IRFZ44A
, IRFZ44VL
, IRFZ44VS
, IRFZ44VZ
, IRFZ44VZS
, IRFZ44Z
, IRFZ44ZL
, IRFZ44ZS
, IRFZ46Z
.

IRFZ44N

мощный n-канальный полевой транзистор сделанный по технологии MOSFET (КМОП). Хорошие характеристики IRFZ44N дают возможность использовать его для управления мощной нагрузкой, благодаря низкому сопротивления n-канала мощность рассеивания может доходить до 83Вт. Конечно обязательным элементом будет радиатор способный рассеивать данную мощность для предотвращения выхода из строя транзистора IRFZ44N. Файл документации доступен на русском языке.

Цоколевка транзистора IRFZ44N показана на рис. 1 Рис. 1

Характеристики транзистора IRFZ44N Корпус — TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 55 В Максимальное напряжение затвора 20 В Сопротивление в открытом состоянии 17.5 мОм Ток стока 41 А Заряд затвора 42.0 нКл Термосопротивление 1.8 К/Вт Рассеиваемая мощность 83 Вт

Видео работы контроллера бесколлекторного двигателя IRFZ44N:

В интернете часто вижу вопросы, чем отличается IRFZ44N от IRFZ44E, по сути идентичные полевые транзисторы отличающиеся лишь выходными характеристиками и то не значительно.

В своей практике использовал данные транзисторы для управления трехфазным бесколлекторным двигателем (BLDC), желательно совместно с данным транзистором использовать драйвер полевых транзисторов IR4427

Аналог транзистора IRFZ44E: iRF740

IRFZ44N – это N-канальный полевой транзистор, изготовленный по технологии MOSFET (КМОП). Это мощный транзистор обладает хорошими техническими характеристиками. Транзистор IRFZ44N идеально подходит для управления мощной нагрузкой, поскольку из-за малого сопротивления n-канала мощность рассеивания достигает 110 Вт. Безусловно, в этом случае необходимо использовать хороший теплоотвод (радиатор).

Характеристики полевого МОП-транзистора irfz44n указанные производителем в datasheet, говорят что он является мощным устройством на кремниевой основе с индуцированным n-каналом (нормально закрытым) изолированным затвором. Характеризуется такими предельными значениями: напряжение между контактами сток-исток до 55 В, током стока до 49 А, очень маленьким проходным сопротивлением 17.5 мОм и мощностью рассеивания до 94 Вт. Рабочая температура может достигать 175 °C. Разработан специально для низковольтных, высокоскоростных коммутационных систем источников питания, преобразователей и органы управления двигателями.

IRFZ44N Datasheet (PDF)

1.1. irfz44ns 1.pdf Size:57K _philips

1.2. irfz44n 1.pdf Size:52K _philips

1.3. irfz44ns 1.pdf Size:57K _international_rectifier

1.4. irfz44npbf.pdf Size:226K _international_rectifier

1.5. irfz44n 1.pdf Size:52K _international_rectifier

1.6. irfz44ns.pdf Size:151K _international_rectifier

1.7. irfz44n.pdf Size:100K _international_rectifier

1.8. irfz44nlpbf irfz44nspbf.pdf Size:334K _international_rectifier

IRFZ44NSPbFl IRFZ44NLPbFl l l D DSS l l l DS(on) Description G D

1.9. lirfz44n.pdf Size:252K _lrc

1.10. irfz44ns.pdf Size:257K _inchange_semiconductor

1.11. irfz44n.pdf Size:100K _inchange_semiconductor

Моп-транзистор irfz44n

IRFZ44NPBF Datasheet (PDF)

IRFZ44NL Datasheet (PDF)

AUIRFZ44N Datasheet (PDF)

IRFZ44ZS Datasheet (PDF)

Маркировка

IRFZ44E Datasheet (PDF)

IRFZ44NS Datasheet (PDF)

IRFZ44V MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

IRFZ44V Datasheet (PDF)

IRFZ44N

IRFZ44N Datasheet (PDF)

IRFZ44V
Datasheet (PDF)